行業背景

    LED( Light Emitting Diode，發光二極管)是由半導體材料所制成發光組件，由于其發光效率高、耗電量少、使用壽命長、安全可靠性強、環保。因而廣泛應用于：顯示屏、交通訊號顯示光源、汽車工業、LCD背光源顯示、LED照明光源等。經歷了多年的發展, 我國LED產業已從購買芯片、外延片生產應用產品。逐步發展成從外延片生產、芯片制備到器件封裝、集成應用等比較完整的產業鏈。近十年我國LED產業市場規模增長迅速, 平均每年增長均在10%以上。根據相關數據，2014年我國LED產業規模為3,507億元，同比增長36%，預計今后持續為高增長態勢。。

面臨挑戰

    LED產業所帶來龐大市場機遇的同時，眾多企業進入該行業，出現競爭無序、產品質量參差不齊、原標準存弊端、同質化嚴重，創新不足。在國家大范圍鼓勵“萬眾創新”前提下，眾多行業內企業均調整企業戰略轉向產品精細化、優質化，來提升企業產品競爭力和附加價值。第三代半導體材料相比第一代、第二代半導體材料，具有很多重要的優點。例如:禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度快、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等。這些優良的性能使其在光電器件、大功率高溫電子器件等方面備受青睞，非常符合企業提升產品品質的戰略方向。常見的第三代半導體材料有GaN、SiC、AlN、ZnSe、C2BN、CdS、ZnS、ZnO和金剛石等。其中在LED產業中比較有代表性的是GaN、SiC、ZnO和金剛石，其禁帶寬度(Eg>2.3eV)。第三代半導體材料可通過調整不同基元組分，其帶隙可實現紅外到紫外光譜區域連續可調，匹配全光譜的應用。因此，如何來確定其關鍵參數禁帶寬度以及對不同光譜波段的吸收系數尤為重要。

解決方案

    ME-L系列穆勒橢偏儀/SE-L系列光譜橢偏儀根據測量到橢偏參數（Ψ ：振幅比，△：相位差），配合內置數百個光學模型進行擬合測得第三代半導體材料禁帶寬度、吸收系數、厚膜等重要參數。

1.建立光學模型

2.建立光學模型

客戶價值

通過ME-L/SE-L系列橢偏儀可用于半導體材料的的各向同/異性重要參數的表征。根據測量其關鍵參數，確保材料以及產品的品質。在新一代的半導體材料的應用中給企業帶來價值最大化。

關聯產品與配置

ME-L穆勒矩陣橢偏儀